全部样片

目前共 673 款样片可申请：

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  MDD10N65F

  MDD(辰达行) / 三极管及MOS管

  MOSFET N-Channel 650V 10A 1Ω@VGS=10V

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  样片数量：100 申请人数：0

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  MDD7N65D

  MDD(辰达行) / 三极管及MOS管

  N沟道650V 7A 增强型MOSFET

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  样片数量：100 申请人数：0

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  MDD7N65F

  MDD(辰达行) / 三极管及MOS管

  N沟道650V 7A 增强型MOSFET

  数据手册

  样片数量：100 申请人数：0

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  MDD2302

  MDD(辰达行) / 三极管及MOS管

  N-Channel MOSFET Transistor VDSS=20V ID=3A

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  样片数量：100 申请人数：0

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  MDD2301

  MDD(辰达行) / 三极管及MOS管

  P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A

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  样片数量：100 申请人数：2

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  RIT

  / 传感器

  航智RIT系列剩余电流传感器（直流漏电检测,小电流检测）是一种利用电磁感应原理将被测电流转换成与原边电流成比例输出的直流/交流电压（或直流/交流电流）信号的测量模块，原副边之间高度绝缘。具有高精确度、高线性度、高集成度、体积小结构简单、长期工作稳定且适应各种工作环境的特点。其中直流漏电流5A/4A/3A/2A/1A精度达到万二，100mA 精度达到千一，10mA 精度达到百一，电压型输出，交直流通

  样片数量：50 申请人数：1

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  MH251EUA

  MST(美加) / 传感器

  MH251霍尔效应传感器是一种温度稳定、抗应力、低灵敏度的微功率开关。

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  样片数量：20 申请人数：0

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  MH253ESO

  MST(美加) / 传感器

  MH253霍尔效应传感器是一种温度稳定、抗应力的开关。通过利用斩波器稳定的动态偏移消除，可以实现卓越的高温性能。

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  样片数量：20 申请人数：0

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  MH262EST

  MST(美加) / 传感器

  MH262霍尔效应传感器是一种温度稳定、抗应力、低灵敏度的微功率开关。

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  样片数量：20 申请人数：0

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  MH251ESP

  MST(美加) / 传感器

  MH251霍尔效应传感器是一种温度稳定、抗应力、低灵敏度的微功率开关。

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  样片数量：20 申请人数：0

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