罗姆SiC-MOSFET简介
SiC MOSFET消除了开关期间的拖尾电流，使得操作更迅速并减少了开关损耗。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了较低的电容和栅极电荷。SiC的导通电阻增加量极小，并提供比Si器件更大的封装微型化和节能效果，因为Si器件的导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上。SiC MOSFET的特性在医疗成像设备中的价值尤为突出。它具有近乎瞬时开关的能力，让制造商能够打造适用于X光设备的高压开关，使技术人员能够更好地控制测试期间的辐射暴露，同时仍然提供高质量的测试结果。
罗姆SiC-MOSFET的特点
· 高速开关
· 低导通电阻
· 寄生二极管的反向恢复工作特性更加
· 功率损耗大幅降低，开关损耗降低73%
罗姆SiC-MOSFET的应用
· 电源
· 车载（EV/PHEV）用充电器
· 车载（EV/PHEV）用DC/DC转换器
罗姆P02SCT3040KR-EVK-001评估板详情
· 罗姆 SCT3040KR（1200V 40mΩ TO-247-4L）评估用
通过改变电路乘数器，可用来评估罗姆其他 SiC－MOSFET
· 除TO-247-4L外，还有TO-247-3L的通孔，可在同一评估板上进行对比评估
· 单一电源（+12V工作）
· 可进行最大150A的双脉冲测试，最大开关工作频率500kHz
· 支持各种电源拓扑（Buck, Boost, Half-Bridge）
· 内置栅极驱动用隔离电源，可通过可变电阻调整（+12V～+23V）
· 可通过跳线引脚来切换栅极驱动用负偏压和零偏压
· 可防止上下臂同时导通，内置过电流保护功能（DESAT, OCP）
4. 试用期限：截止至6月3日
1. 申请：点击免费申请按钮即可报名。请认真填写申请理由，展现有创意的试用计划和网络影响力，尽快完善论坛个人信息，这样可以大大提高申请通过几率哦~；
2. 筛选：网站根据申请者填写的试用计划和论坛活跃度两个维度进行筛选；
3. 名单公布：试用名单将在活动页公布；
4. 试用通知：名单公布后工作人员将以短信或电话的方式通知申请成功者，2天不回复算弃权；
5. 产品寄送：联系到试用者双方确认试用规则后，将产品快递给试用者；
6. 试用报告：收到货后试用开始，每周至少提交一篇试用报告，试用报告要求100%原创，抄袭会被封杀哦;
7. 产品回收：评测完成后将由罗姆进行评审决定是否可以赠与。
试用报告说明
试用者收到评估板后，进行学习评估，并在电源技术论坛（//www.ws-dc.com/zhuti_power_1.html）发经验帖记录 罗姆SiC-MOSFET 评估板试用心得。
经过试用评测学习后，试用者使用开发板并在论坛发帖记录项目过程、心得。
试用报告可分为：项目概述、硬件设计、软件调试、视频效果演示，要求不少于500字+5张图片。
试用报告形式：标题格式【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载】+自拟标题
罗姆（ROHM）成立于1958年，由最初的主要产品-电阻器的生产开始，历经半个多世纪的发展，已成为全球知名的半导体厂商。罗姆的企业理念是：“我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难，都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品，并为文化的进步与提高作出贡献”。
罗姆的生产、销售、研发网络遍及世界各地。产品涉及多个领域，其中包括IC、分立式元器件、光学元器件、无源元器件、功率元器件、模块等。在世界电子行业中，罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许，成为系统IC和最新半导体技术方面首屈一指的主导企业。
