EG2123A 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。
EG2123A 高端的工作电压可达 260V,低端 VCC 的电源电压范围宽 7V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个下拉和上拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO +0.8A/-1.2A,采用 TSSOP20 和 QFN20 封装。
应用领域
三相直流无刷电机驱动器
8.3 自举电路
EG2123A 采用自举悬浮驱动电源结构大大简化了驱动电源设计,只用一路电源电压 VCC 即可完成高端 N沟道 MOS 管和低端 N 沟道 MOS 管两个功率开关器件的驱动,给实际应用带来极大的方便。EG2123A 可以使用外接一个自举二极管如图 8-3 和一个自举电容自动完成自举升压功能,假定在下管开通、上管关断期间VC 自举电容已充到足够的电压(VC=VCC),当 HO 输出高电平时上管开通、下管关断时,VC 自举电容上的电压将等效一个电压源作为内部驱动器 VB 和 VS 的电源,完成高端 N 沟道 MOS 管的驱动。
自举电容 VC PCB 布局尽量靠近芯片的 VB 脚跟 VS 脚,自举电容可以选择瓷片电容或者电解电容,最小容值可按以下公式计算: